Ultrabreitbandiges C-Band 4-8 GHz 50-W-Leistungsverstärker-HF-System

Dieser 50-W-Breitband-Leistungsverstärker ist ein Hochleistungs-HF-Modul, das für Anwendungen entwickelt wurde, die eine robuste Ausgangsleistung im Frequenzbereich von 4 GHz bis 8 GHz erfordern. Durch den Einsatz fortschrittlicher GaN-Technologie (Galliumnitrid) bietet es eine hohe Leistungsdichte, einen hervorragenden Wirkungsgrad und zuverlässige Linearität über eine große Momentanbandbreite. Der Verstärker ist auf Stabilität, Haltbarkeit und konstante Leistung in anspruchsvollen Umgebungen ausgelegt.

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Produktbeschreibung

Hauptmerkmale

Breitbandleistung: Funktioniert nahtlos über das gesamte Spektrum von 4 GHz bis 8 GHz (C-Band), ohne dass eine Bandumschaltung erforderlich ist.

Hohe Ausgangsleistung: Liefert eine typische gesättigte Ausgangsleistung von mindestens 50 Watt (47 dBm) im gesamten Band.

Hohe Verstärkung: Verfügt über eine typische Kleinsignalverstärkung von mindestens 50 dB und gewährleistet so eine effektive Signalverstärkung von Quellen mit geringem Stromverbrauch.

Hervorragende Verstärkungsflachheit: Behält eine hervorragende Verstärkungsflachheit von typischerweise ±1,5 dB über den gesamten Frequenzbereich bei und sorgt so für eine gleichmäßige Leistung.

Hohe Effizienz: Verfügt über ein hocheffizientes Design, das in der Regel eine zusätzliche Leistungseffizienz (Power Added Efficiency, PAE) von 30 % erreicht und so die thermische Belastung und den Gleichstromverbrauch reduziert.

Robuste lineare Leistung: Bietet einen hohen 1-dB-Kompressionspunkt (OP1dB), typischerweise > 47 dBm, und unterstützt sowohl lineare als auch gesättigte Verstärkung für verschiedene Modulationsschemata.

Integrierter Schutz und Steuerung: Enthält umfassende Sicherheitsfunktionen: Verpolungsschutz, Abschaltung bei Übertemperatur und Ausgangsüberlast-/VSWR-Schutz. Standard-Analogschnittstelle für Bias-Steuerung, Aktivierung/Deaktivierung (TTL) und Statusüberwachung.

Wärmemanagement: Entwickelt mit einem effizienten Grundplatten-Kühlsystem, um einen zuverlässigen Betrieb unter Volllastbedingungen zu gewährleisten. Betriebstemperaturbereich des Gehäuses: -40 °C bis +85 °C.

Robuste Konstruktion: Untergebracht in einem robusten, hermetisch abgedichteten Metallgehäuse für hervorragende Abschirmung und Widerstandsfähigkeit gegen Umwelteinflüsse, geeignet für Militär-, Luft- und Raumfahrt- sowie Industrieanwendungen.

NEIN.	Beschreibung	Symbol	Min	Typ	Max	Einheit	Bemerkung
1.	Betriebsfrequenz	BW	4000		8000	MHz
2.	Eingangsleistung	Stift		0		dBm
3.	Ausgangsleistung CW	Psat	47	48.5	49.5	dBm	Kontinuierliche Welle
4.	Kraftgewinn	GP	47		49.5	dBm	@ Pin=0 dBm
5.	Ebenheit der Leistungsverstärkung	△Gp		±1,5		dB	@ Pin=0 dBm
6.	Kleine Signalverstärkung	G	49	50.5	52	dB	@ Pin=-5dBm
7.	Kleine Signalverstärkungsflachheit	△G		±2		dB	@ Pin=-5dBm
8.	Eingangsrückflussdämpfung	S11		-15		dB
9.	Betriebsspannung	Vdc	28	28	32	V
10.	Aktueller Verbrauch	A		6	8	A	@ Schmollmund=50~90W
11.	Arbeitstemperatur		-40℃~+50℃
12.	HF-Anschlusseingang		SMA, weiblich
13.	HF-Anschlussausgang		SMA, weiblich
14.	Gewicht			0.439	0.50	kg
15.	LängeBreiteHöhe		1348022			mm
16.	Eingangsleistung	PinMax	-5		5	dBm
17.	Schnittstellendefinition (7W2 weiblich)	VDD	A1	Boden
		GND	A2	28Vdc
		Aktueller Sinn	1	Analoge Spannung relativ zum Modulstrom bei 100 mV/A
		Temperatursensor	2	Analoge Spannung relativ zur Modultemperatur bei 10 mV/℃
		Aktivieren	3	Verstärker aktivieren			Verstärker aktiviert: TTL Logic High (3,3 V) (Intern nach unten gezogen)
		GND	4	Boden
	Gesamtdimension	Notiz: 1、 Die Gesamtabmessungen dienen nur als Referenz； 2、 Die Größe kann entsprechend den Anforderungen des Kunden entsprechend vergrößert oder verkleinert werden. 3、 Die Positionen der Eingangsschnittstelle, der Ausgangsschnittstelle und der Stromversorgungsschnittstelle können entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen der Kunden geändert werden;

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